RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
51
58
En 12% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
58
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
2504
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link