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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
51
En -82% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
28
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
3250
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
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