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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
51
En -168% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
19
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
3665
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
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