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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
51
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
35
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
3099
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
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