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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
51
En -70% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
30
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
3525
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
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