RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
51
En -82% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.9
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
28
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
3835
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Jinyu 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link