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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
51
En -143% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
21
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
3460
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
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