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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
51
En -76% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
29
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
3559
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
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