RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
51
En -34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
38
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
2650
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link