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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
51
En -76% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
29
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
3140
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
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JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
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