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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
51
En -122% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
23
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
2709
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
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