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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
51
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
42
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
2597
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
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