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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
51
En -55% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.8
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
33
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
19.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
3364
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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