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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
51
En -55% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
33
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
2854
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
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