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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
51
En -82% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
28
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
3211
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
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