RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
51
En -183% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.9
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
18
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
3421
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link