RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
51
En -143% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
21
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
3077
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Micron Technology 16HTF25664AY-800J1 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.C16FH 2GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link