RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
51
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
35
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
3090
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9905417-061.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link