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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
51
En -96% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
26
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
2673
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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