RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
51
72
En 29% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
72
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
1631
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
AMD R948G2806U2S 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link