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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
51
70
En 27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.8
9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
6.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
70
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
9.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
6.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
1363
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
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