RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
6.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
51
En -42% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
36
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
6.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
1878
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link