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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
51
En -34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
38
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
2359
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
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