RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
51
En -104% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
25
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
2695
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link