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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
51
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
35
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
2713
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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