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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
51
54
En 6% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.4
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
12800
En 1.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
54
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
23400
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
2259
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
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Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
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