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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
51
En -70% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.2
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
30
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
12.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
2354
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
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