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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
51
62
En 18% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
62
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
1808
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
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