RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
51
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.9
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
42
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
12.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
2735
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link