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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
58
En 16% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
58
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
2591
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
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