RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
49
En -96% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
25
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
2786
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link