RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
49
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2786
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
ASint Technology SSY2128M8-JGE3B 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link