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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
49
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
36
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
3027
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
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