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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
49
En -75% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
28
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
17.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
3963
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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