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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Kingston KMKYF9-MID 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Kingston KMKYF9-MID 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston KMKYF9-MID 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
49
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
35
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
2627
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
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Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
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