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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
49
En -69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
2312
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
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