RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
49
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2312
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link