RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Porównaj
Kingston KVT8FP-HYC 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
51
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
51
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2432
2687
Kingston KVT8FP-HYC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KL9A 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link