RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
38
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
3030
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link