Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

Note globale
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

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Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    29 left arrow 38
    Autour de 24% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    17.9 left arrow 10.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    10.4 left arrow 7.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    25600 left arrow 8500
    Autour de 3.01 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    29 left arrow 38
  • Vitesse de lecture, GB/s
    10.5 left arrow 17.9
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    7.1 left arrow 10.4
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    8500 left arrow 25600
Other
  • Description
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1425 left arrow 3030
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons