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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Compara
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Puntuación global
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
38
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
8500
En 3.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
38
Velocidad de lectura, GB/s
10.5
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
25600
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1425
3030
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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