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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
38
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
8500
Rund um 3.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.5
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
10.4
Speicherbandbreite, mbps
8500
25600
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1425
3030
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