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Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
比较
Kingston KVT8FP-HYC 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
51
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
51
读取速度,GB/s
14.4
15.6
写入速度,GB/s
9.6
11.8
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
2687
Kingston KVT8FP-HYC 4GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KL9A 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-1600 CL10 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
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