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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
49
En -96% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
25
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
2549
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
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