RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
49
En -104% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
24
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
2865
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Kingston 99U5471-050.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link