RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
49
En -69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
3434
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link