RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
49
Autour de -69% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
29
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
3434
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link