RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Compara
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
52
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2179
2169
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link