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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
48
En -60% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
10600
En 2.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
30
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
23400
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
3428
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
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