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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
48
左右 -60% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
10600
左右 2.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
30
读取速度,GB/s
8.9
17.2
写入速度,GB/s
5.9
15.1
内存带宽,mbps
10600
23400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3428
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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